K2611 характеристики на русском

Производитель: WinSemi
Сфера применения:
Популярность: 2067
Дополнительные параметры транзистора K2611B: Корпус: TO-247AD; dV/dt: 4В/нс; Rth: 0,42°C; Coss: 260пФ; Crss: 30пФ; Qg: 72нКл; Qgs: 16нКл; Qgd: 35нКл; Trise: 135нc; Tfall: 90нc; Trr: 850нc;
Условные обозначения описаны на странице «Теория».

Схемы транзистора K2611B

Общий вид транзистора K2611B.	Цоколевка транзистора K2611B.

Обозначение контактов:
Международное: G — затвор, D — сток, S — исток.
Российское: З — затвор, С — сток, И — исток.

Дата создания страницы: 2016-03-22 16:58:54; Пользователь: .

Коллективный разум. Дополнения для транзистора K2611B.

Другие разделы справочника:

Есть надежда, что справочник транзисторов окажется полезен опытным и начинающим радиолюбителям, конструкторам и учащимся. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.

K2611 MOSFET — описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: K2611

Тип транзистора: MOSFET

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 300 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 900 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 5 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 11 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 72 nC

Время нарастания (tr): 135 ns

Выходная емкость (Cd): 260 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.1 Ohm

Тип корпуса: TO-247

K2611 Datasheet (PDF)

1.1. k2611sb.pdf Size:694K _update_mosfet

K2611SB K2611SB K2611SB K2611SB Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Features ■ 9A,900V, R (Max1.35Ω)@V =10V DS(on) GS ■ Ultra-low Gate charge(Typical 58nC) ■ Fast Switching Capability ■ 100%Avalanche Tested ■ Maximum Junction Temperature Range(150℃) General Description This N-Channel enhancement mode p

1.2. k2611s.pdf Size:571K _update_mosfet

K2611S K2611S K2611S K2611S Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Features ■ 9A,900V, R (Max1.35Ω)@V =10V DS(on) GS ■ Ultra-low Gate charge(Typical 58nC) ■ Fast Switching Capability ■ 100%Avalanche Tested ■ Maximum Junction Temperature Range(150℃) General Description This N-Channel enhancement mode power

1.3. k2611b.pdf Size:999K _update_mosfet

K2611B K2611B K2611B K2611B Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Features ■ 11A,900V, R (Max1.10Ω)@V =10V DS(on) GS ■ Ultra-low Gate charge(Typical 72nC) ■ Fast Switching Capability ■ 100%Avalanche Tested ■ Maximum Junction Temperature Range(150℃) General Description This N-Channel enhancement mode powe

1.4. k2611.pdf Size:622K _update_mosfet

K2611 K2611 K2611 K2611 Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Features ■ 11A,900V, R (Max1.10Ω)@V =10V DS(on) GS ■ Ultra-low Gate charge(Typical 72nC) ■ Fast Switching Capability ■ 100%Avalanche Tested ■ Maximum Junction Temperature Range(150℃) General Description This N-Channel enhancement mode power fi

1.5. 2sk2611.pdf Size:408K _toshiba

2SK2611 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (?-MOSIII) 2SK2611 DC-DC Converter, Relay Drive and Motor Drive Applications Unit: mm Low drain-source ON resistance : RDS = 1.1 ? (typ.) (ON) High forward transfer admittance : |Y | 7.0 S (typ.) fs = Low leakage current : I = 100 µA (max) (V = 720 V) DSS DS Enhancement-mode : Vth = 2.0

DC−DC Converter, Relay Drive and Motor Drive Applications

1. Low drain−source ON-resistance : RDS (ON)= 1.2 Ω(typ.)

2. High forward transfer admittance : |Yfs| =7.0 S (typ.)

3. Low leakage current : >

4. Enhancement−mode : Vth= 2.0 to 4.0 V (VDS= 10 V, >