Главная | О сайте | Теория | Практика | Контакты |
Высказывания: Основные параметры полевого n-канального транзистора K2611BЭта страница создана пользователем сайта через систему Коллективного разума и показывает существующую справочную информацию о параметрах полевого n-канального транзистора K2611B . Информация о параметрах, цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях. Тип канала: n-канал |
Pd max, мВт | Uds max, В | Udg max, В | Ugs max, В | Id max, мА | Tj max, °C | Fr (T on/of) | Ciss tip, пФ | Rds, Ом |
300000 | 900 | — | 30 | 45600 | -55+150 | (Ton:65/Tof:165nS) | 2700 | 0,95 |
Производитель: WinSemi
Сфера применения:
Популярность: 2067
Дополнительные параметры транзистора K2611B: Корпус: TO-247AD; dV/dt: 4В/нс; Rth: 0,42°C; Coss: 260пФ; Crss: 30пФ; Qg: 72нКл; Qgs: 16нКл; Qgd: 35нКл; Trise: 135нc; Tfall: 90нc; Trr: 850нc;
Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора K2611B
Общий вид транзистора K2611B. | Цоколевка транзистора K2611B. |
|
|
Обозначение контактов:
Международное: G — затвор, D — сток, S — исток.
Российское: З — затвор, С — сток, И — исток.
Дата создания страницы: 2016-03-22 16:58:54; Пользователь: .
Коллективный разум. Дополнения для транзистора K2611B.
Другие разделы справочника:
Есть надежда, что справочник транзисторов окажется полезен опытным и начинающим радиолюбителям, конструкторам и учащимся. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.
K2611 MOSFET — описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: K2611
Тип транзистора: MOSFET
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 300 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 900 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V
Пороговое напряжение включения Ugs(th): 5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 11 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 72 nC
Время нарастания (tr): 135 ns
Выходная емкость (Cd): 260 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.1 Ohm
Тип корпуса: TO-247
K2611 Datasheet (PDF)
1.1. k2611sb.pdf Size:694K _update_mosfet
K2611SB K2611SB K2611SB K2611SB Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Features ■ 9A,900V, R (Max1.35Ω)@V =10V DS(on) GS ■ Ultra-low Gate charge(Typical 58nC) ■ Fast Switching Capability ■ 100%Avalanche Tested ■ Maximum Junction Temperature Range(150℃) General Description This N-Channel enhancement mode p
1.2. k2611s.pdf Size:571K _update_mosfet
K2611S K2611S K2611S K2611S Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Features ■ 9A,900V, R (Max1.35Ω)@V =10V DS(on) GS ■ Ultra-low Gate charge(Typical 58nC) ■ Fast Switching Capability ■ 100%Avalanche Tested ■ Maximum Junction Temperature Range(150℃) General Description This N-Channel enhancement mode power
1.3. k2611b.pdf Size:999K _update_mosfet
K2611B K2611B K2611B K2611B Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Features ■ 11A,900V, R (Max1.10Ω)@V =10V DS(on) GS ■ Ultra-low Gate charge(Typical 72nC) ■ Fast Switching Capability ■ 100%Avalanche Tested ■ Maximum Junction Temperature Range(150℃) General Description This N-Channel enhancement mode powe
1.4. k2611.pdf Size:622K _update_mosfet
K2611 K2611 K2611 K2611 Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Features ■ 11A,900V, R (Max1.10Ω)@V =10V DS(on) GS ■ Ultra-low Gate charge(Typical 72nC) ■ Fast Switching Capability ■ 100%Avalanche Tested ■ Maximum Junction Temperature Range(150℃) General Description This N-Channel enhancement mode power fi
1.5. 2sk2611.pdf Size:408K _toshiba
2SK2611 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (?-MOSIII) 2SK2611 DC-DC Converter, Relay Drive and Motor Drive Applications Unit: mm Low drain-source ON resistance : RDS = 1.1 ? (typ.) (ON) High forward transfer admittance : |Y | 7.0 S (typ.) fs = Low leakage current : I = 100 µA (max) (V = 720 V) DSS DS Enhancement-mode : Vth = 2.0
Номер в каталоге | Описание (Функция) | производитель |
K2611 | TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (π−MOSIII) | Toshiba |
Другие PDF | недоступен. |
K2611 Datasheet PDF : |
DC−DC Converter, Relay Drive and Motor Drive Applications
1. Low drain−source ON-resistance : RDS (ON)= 1.2 Ω(typ.)
2. High forward transfer admittance : |Yfs| =7.0 S (typ.)
3. Low leakage current : >
4. Enhancement−mode : Vth= 2.0 to 4.0 V (VDS= 10 V, >